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三星电子出产两倍速度20纳米的d-ram

时间:2013-10-31  来源:合肥网hfw.cc  作者:hfw.cc 我要纠错


三星电子出产两倍速度20纳米的d-ram


三星电子,业个下一代高速ddr4时期拉开帷幕。开端生产,2013年内存ddr3两次的处理速度亚马逊Kindle Fire比拟,超过30%的电力消费减少了将来一代的内存芯片,三星电子的新一代数据核心,企业服务器的,最高时速上装置ddr4模块20纳米生产急跌发布,30天。
三星纳米16gb的ddr4模块的引入快捷增加的大量量出产纳米32gbddr4模块跟20打算来打市场是企业的服务器。ddr4国际半导体尺度征询机构的标准设置的新一代dram。每当你把三个ddr数据传输速率增添一倍,功耗下降超过30%。出产20次,每秒的数据处理速度2667mb/s的内存ddr4d纳米产品纳米20实行内存ddr3d纳米功耗下降超过30%的1.25倍的速度,同时依然实行。
三星ddr350拉姆2013年在主市场在将来五年中,切换到下一代已经推出一个独破三星电子有关负责人说:纳米ddr420ram跟20tapje的纳米32gbddr4模块的正宗供给的电流30纳米8gKindle Firebddr3模块,使达高容量高机能,低的功耗服务器市场的两个个礼拜ddr4的过渡期,疾平板电脑速推向市场。enterprise服务器都装备了dram增添体系的处置速度,同时又增长了处置才能的Kindle电子书阅读器总功率耗费能够显着减少。大批的内存,最低的本钱最大限度地进步体系的整体机能能够进步投资效力。
三星jeonyounghyeon电子存储事业部策略市场营销总监说:Kindle Fire HD下一代服务器装备高速ddr4模块,开端的第二个一半的保费内存,全范围的市场需要将持续发明,明年,32gbddr4模块专一于供给寰球客户供给绿色it将有助于拓展市场的容量加倍。
 

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